Механизмы токопереноса в поверхностно-допированных полупроводниковых газовых сенсорах: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Рябцев Станислав Викторович

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад50427,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Рябцев, С. В.
Опубликовано: Воронеж , 2000
Физические характеристики: 16 с.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br323176
005 20200316114218.0
100 # # $a 20010321d2000 k y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a ru 
105 # # $a a ||||001yy 
109 # # $a aa  $a ac 
200 1 # $a Механизмы токопереноса в поверхностно-допированных полупроводниковых газовых сенсорах  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e 01.04.10  $f Рябцев Станислав Викторович  $g [Воронеж. гос. ун-т] 
210 # # $a Воронеж  $d 2000 
215 # # $a 16 с. 
300 # # $a Библиогр.: c. 15-16 (14 назв.). 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2749267  $a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar4759018  $a ОКСИДНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-SEK-ar1638614  $a МОДИФИЦИРОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТЕЙ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar3221887  $a ДОПИРОВАНИЕ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar39284  $a ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2496476  $a ГАЗОВЫЕ СЕНСОРЫ  $2 DVNLB 
686 # # $a 29.19.31  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 29.19.16  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 29.19.23  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 47.03.05  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 59.35.29  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-489526  $a Рябцев  $b С. В.  $g Станислав Викторович 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20010321  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060316  $g psbo