|
|
|
|
|
00000cam0a22000004ia4500 |
001 |
BY-NLB-br270003 |
005 |
20160225114048.3 |
100 |
# |
# |
$a 20000816d2000 u y0rusy50 ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
105 |
# |
# |
$a a m 001yy
|
109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
200 |
1 |
# |
$a Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в нелегированных и легированных сурьмой эпитаксиальных слоях GaAs
$e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
$e 01.04.10
$f Самойлов Виктор Александрович
$g [Ин-т физики полупроводников Сиб. отд-ния РАН]
|
210 |
# |
# |
$a Новосибирск
$d 2000
|
215 |
# |
# |
$a 18 с.
|
300 |
# |
# |
$a Библиогр.: с. 17-18 (24 назв.).
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar27961
$a РЕЛАКСАЦИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar31483
$a СПЕКТРОСКОПИЯ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar25538
$a ПРИМЕСИ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar31471
$a СПЕКТРОМЕТРЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar31472
$a СПЕКТРОМЕТРЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar27962
$a РЭЛАКСАЦЫЙНЫЯ ПРАЦЭСЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar31484
$a СПЕКТРАСКАПІЯ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar12159
$a ІОННАЯ ІМПЛАНТАЦЫЯ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar25539
$a ПРЫМЕСІ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24596
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar12158
$a ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24597
$a ПАЎПРАВАДНІКОВЫЯ СТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar8902665
$a ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar8902666
$a ЭПІТАКСІЯЛЬНЫЯ СЛАІ
$2 DVNLB
|
610 |
0 |
# |
$a ГЛУБОКИЕ УРОВНИ
|
610 |
0 |
# |
$a ГЛЫБОКІЯ УЗРОЎНІ
|
686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 29.31.26
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-474104
$a Самойлов
$b В. А.
$g Виктор Александрович
|
801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20000816
$g psbo
|
801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20060316
$g psbo
|