Изовалентное легирование: управление электронными свойствами слоев GaAs и GaSb путем воздействия на систему примесей, точечных дефектов и наноразмерных кластеров: Дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук в форме науч. докл.: 01.04.10 / Рос. АН, Физ.-техн. ин-т им. А.Ф.Иоффе
Сохранено в:
| 格式: | |
|---|---|
| 主要作者: | Чалдышев, В. В. |
| 出版: | СПб. , 1999 |
| 實物描述: |
51 c.
|
| 語言: | Русский |
| 主題: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | 可用 預訂 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||