Изовалентное легирование: управление электронными свойствами слоев GaAs и GaSb путем воздействия на систему примесей, точечных дефектов и наноразмерных кластеров: Дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук в форме науч. докл.: 01.04.10 / Рос. АН, Физ.-техн. ин-т им. А.Ф.Иоффе
Saved in:
| Format: | |
|---|---|
| Main Author: | Чалдышев, В. В. |
| Published: | СПб. , 1999 |
| Physical Description: |
51 c.
|
| Language: | Russian |
| Subjects: |
ОФХ отдела книгохранения
| All : 1 , available: 1 | Available Place a Hold | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||