Изовалентное легирование: управление электронными свойствами слоев GaAs и GaSb путем воздействия на систему примесей, точечных дефектов и наноразмерных кластеров: Дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук в форме науч. докл.: 01.04.10 / Рос. АН, Физ.-техн. ин-т им. А.Ф.Иоффе
Захавана ў:
| Тып дакумента: | |
|---|---|
| Аўтар: | Чалдышев, В. В. |
| Апублікавана: | СПб. , 1999 |
| Фізіч. характарыстыкі: |
51 c.
|
| Мова: | Руская |
| Прадмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Усяго : 1 , даступна: 1 | Даступна Замовіць | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||