Физико-технологические основы ионно-плазменного травления карбида кремния: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: 05.27.06 / Санкт-Петерб. электротехн. ун-т

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад25716,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Чжан, Х.
Опубликовано: СПб. , 1993
Физические характеристики: 18 с.
Язык: Русский
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br164498
005 20070615190617.2
100 # # $a 19970605d1993 u y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
105 # # $a y m 001yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Физико-технологические основы ионно-плазменного травления карбида кремния  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук  $e 05.27.06  $f Санкт-Петерб. электротехн. ун-т 
210 # # $a СПб.  $d 1993 
215 # # $a 18 с. 
686 # # $a 47.09.29  $2 rugasnti 
686 # # $a 05.27.06  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-439458  $a Чжан  $b Х.  $g Хай-Ин 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 19970605  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060316  $g psbo