Исследование закономерностей роста буферных слоев и способы улучшения качества тонких пленок арсенида галлия на кремнии при молекулярно-лучевой эпитаксии: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / Рос. АН, Физ.-технол. ин-т

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад25363,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Иошкин, В. А.
Опубликовано: М. , 1994
Физические характеристики: 20 с.
Язык: Русский
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br164201
005 20070615190616.3
100 # # $a 19930101d1994 u y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
105 # # $a a m 001yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Исследование закономерностей роста буферных слоев и способы улучшения качества тонких пленок арсенида галлия на кремнии при молекулярно-лучевой эпитаксии  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e 05.27.01  $f Рос. АН, Физ.-технол. ин-т 
210 # # $a М.  $d 1994 
215 # # $a 20 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 19-20 (7 назв.) 
686 # # $a 47.33.33  $2 rugasnti 
686 # # $a 05.27.01  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-439267  $a Иошкин  $b В. А.  $g Владимир Андреевич 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 19930101  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060316  $g psbo