Исследование фотоэлектрических характеристик многослойных фоточувствительных структур с диффузионными p-n-переходами: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: 05.27.01 / Гос. науч. центр Рос. Федерации, Всерос. электротехн. ин-т им. В.И.Ленина

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад25358,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Андреев, Д. В.
Опубликовано: М. , 1994
Физические характеристики: 19 с.
Язык: Русский
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br164196
005 20070615190615.4
100 # # $a 19930101d1994 u y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
105 # # $a y m 001yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Исследование фотоэлектрических характеристик многослойных фоточувствительных структур с диффузионными p-n-переходами  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук  $e 05.27.01  $f Гос. науч. центр Рос. Федерации, Всерос. электротехн. ин-т им. В.И.Ленина 
210 # # $a М.  $d 1994 
215 # # $a 19 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 17-19 
686 # # $a 47.29.31  $2 rugasnti 
686 # # $a 47.33  $2 rugasnti 
686 # # $a 05.27.01  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-439128  $a Андреев  $b Д. В.  $g Дмитрий Валерьевич 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 19930101  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060316  $g psbo