Получение и свойства омических контактов микронных размеров к полупроводникам А3В5 (GaAs, InP): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / Рос. АН, Ин-т радиотехники и электроники

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад24059,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Лопатин, В. В.
Опубликовано: М. , 1994
Физические характеристики: 18 с.
Язык: Русский
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br162913
005 20190904150235.0
100 # # $a 19930101d1994 u y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
105 # # $a y m 001yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Получение и свойства омических контактов микронных размеров к полупроводникам А3В5 (GaAs, InP)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e 05.27.01  $f Рос. АН, Ин-т радиотехники и электроники 
210 # # $a М.  $d 1994 
215 # # $a 18 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 16-17 (12 назв.) 
686 # # $a 47.33.29  $2 rugasnti 
686 # # $a 45.09.35  $2 rugasnti 
686 # # $a 05.27.01  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-437560  $a Лопатин  $b В. В.  $g Вадим Владимирович 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 19930101  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060316  $g psbo