Выращивание эпитаксиальных слоёв GaAs на Si из раствора-расплава: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Рос. акад. наук, Физ.-техн. ин-т им. А.Ф.Иоффе

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад19888,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Дерягин, Н. Г.
Опубликовано: СПб. , 1995
Физические характеристики: 20 с.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br158527
005 20160225114045.4
100 # # $a 19930101d1995 u y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
105 # # $a y 001yy 
109 # # $a aa  $a ac 
200 1 # $a Выращивание эпитаксиальных слоёв GaAs на Si из раствора-расплава  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e 01.04.10  $f Рос. акад. наук, Физ.-техн. ин-т им. А.Ф.Иоффе 
210 # # $a СПб.  $d 1995 
215 # # $a 20 с. 
300 # # $a Библиогр.: c. 18-20 (13 назв.) 
606 0 # $3 BY-NLB-ar1659644  $a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar8902665  $a ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ  $2 DVNLB 
610 0 # $a раствор-расплав 
610 0 # $a эпітаксіальныя слаі 
610 0 # $a раствор-расплаў 
686 # # $a 29.19.31  $2 rugasnti 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-430329  $a Дерягин  $b Н. Г.  $g Николай Германович 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 19930101  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060316  $g psbo