Дефектообразование в криокристаллах ксенона и криптона, стимулированное автолокализацией экситонов в квазимолекулярные состояния: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.14 ; 01.04.05 / АН Украины, Физ.-техн. ин-т низ. температур им. Б.И.Веркина

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад12704,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Огурцов, А. Н.
Опубликовано: Харьков , 1993
Физические характеристики: 15 с.
Язык: Русский
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br151053
005 20070615190350.9
100 # # $a 19930101d1993 u y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
105 # # $a y m 001 y 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Дефектообразование в криокристаллах ксенона и криптона, стимулированное автолокализацией экситонов в квазимолекулярные состояния  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e 01.04.14 ; 01.04.05  $f АН Украины, Физ.-техн. ин-т низ. температур им. Б.И.Веркина 
210 # # $a Харьков  $d 1993 
215 # # $a 15 с. 
300 # # $a Библиогр.: c. 14-15 (5 назв.) 
686 # # $a 01.04.14  $2 oksvnk 
686 # # $a 01.04.05  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-415942  $a Огурцов  $b А. Н.  $g Александр Николаевич 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 19930101  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060316  $g psbo