
Дефектно-примесное взаимодействие в ионноимплантированных слоях полупроводниковых соединений А3В5 и его роль в формировании активных приборных структур: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Моск. ин-т стали и сплавов
Захавана ў:
Тып дакумента: | |
---|---|
Аўтар: | Кольцов, Г. И. |
Апублікавана: | М. , 1993 |
Фізіч. характарыстыкі: |
38 с.
|
Мова: | Руская |
ОФХ отдела книгохранения
Усяго : 1 , даступна: 1 | Даступна Замовіць | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|