|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001795402 |
| 005 |
20230215094658.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20221018d2022 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Физико-химические свойства и электронная структура поверхности трехмерных топологических изоляторов на основе халькогенидов и халькогалогенидов висмута и сурьмы
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e специальность 1.3.11 Физика полупроводников
$f Голяшов Владимир Андреевич
$g [Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук]
|
| 210 |
# |
# |
$a Новосибирск
$d 2022
|
| 215 |
# |
# |
$a 22 с.
$c цв. ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 20—22
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2749267
$a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1978538
$a ХАЛЬКОГЕНИДНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar5379907
$a ТОПОЛОГИЧЕСКИЕ ИЗОЛЯТОРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar4291555
$a ПОВЕРХНОСТНЫЕ СВОЙСТВА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar32980
$a ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3250908
$a ФЕРМИ ПОВЕРХНОСТЬ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-SEK-ar14052630
$a РАШБЫ ЭФЕКТ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.24
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.16
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 1.3.11
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar14331363
$a Голяшов
$b В. А.
$g Владимир Андреевич
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20221018
$g RCR
|
