|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001724805 |
| 005 |
20211208113658.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20211014d2021 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Исследование магнитопоглощения, спонтанного и стимулированного излучения в гетероструктурах с квантовыми ямами Hg(Cd)Te/CdHgTe и InAs/Ga(In)Sb/InAs
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e специальность 2.2.2 Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
$f Фадеев Михаил Александрович
$g [Институт физики микроструктур РАН, Институт прикладной физики Российской академии наук (ИФМ РАН)]
|
| 210 |
# |
# |
$a Нижний Новгород
$d 2021
|
| 215 |
# |
# |
$a 23 с., включая обложку
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 18—23
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar17342
$a ЭЛЕКТРОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar5379907
$a ТОПОЛОГИЧЕСКИЕ ИЗОЛЯТОРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1658634
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar4314591
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2185937
$a АРСЕНИДЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2351577
$a ТЕЛЛУРИДЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2390800
$a КВАНТОВЫЕ ЯМЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1849834
$a МАГНИТООПТИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2185522
$a ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar6136
$a ВОЛНОВОДЫ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.29
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.31
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.48
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.47
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 2.2.2.
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar14089207
$a Фадеев
$b М. А.
$g Михаил Александрович
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20211014
$g RCR
|
