Исследование процессов рекристаллизации ионно-легированных полупроводников под действием мощных лазерных импульсов.: Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Галяутдинов, М. Ф. |
| Опубликовано: | Казань , 1982 |
| Физические характеристики: |
15 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000cam0a22000003ib4500 | |||
| 001 | BY-NLB-br0001707477 | ||
| 005 | 20210714101350.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20210714d1982 |||||rus|50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 200 | 1 | # | $a Исследование процессов рекристаллизации ионно-легированных полупроводников под действием мощных лазерных импульсов. $e Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук |
| 210 | # | # | $a Казань $d 1982 |
| 215 | # | # | $a 15 с. |
| 675 | # | # | $a 5 $v 4 |
| 700 | # | 1 | $a Галяутдинов $b М. Ф. |
| 801 | # | 0 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20210714 $g RCR |