|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001698728 |
| 005 |
20210713102414.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20210519d2021 k y0rusy50 ba
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a SiGe гетероструктуры, выращенные на различных подложках: релаксация упругих напряжений, люминесценция и селективное легирование
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
$e специальность 01.04.10 Физика полупроводников
$f Новиков Алексей Витальевич
$g [Институт физики микроструктур РАН, Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук (ИФМ РАН)]
|
| 210 |
# |
# |
$a Нижний Новгород
$d 2021
|
| 215 |
# |
# |
$a 38 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 30—38
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2749267
$a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1658634
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2685025
$a ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ НАРАЩИВАНИЕ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar8902665
$a ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar15096
$a КРЕМНИЙ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar7308
$a ГЕРМАНИЙ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar16761
$a ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.31.23
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-NLB-ar13395836
$a Новиков
$b А. В.
$g Алексей Витальевич
$c кандидат физико-математических наук
$f род. 1968
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20210519
$g RCR
|
