|
|
|
|
|
00000nam2a22000003is4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001548627 |
| 005 |
20190425144651.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20190425d1967 |||y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a SU
|
| 105 |
# |
# |
$a a ||||000yy
|
| 200 |
1 |
# |
$a Использование частичного перемагничивания для повышения быстродействия магнитных элементов памяти
$e обзор по материалам печати за 1957―1965 гг.
$f составитель Н. Г. Тамарченко
$g [редактор Р. А. Лашевский]
|
| 210 |
# |
# |
$a Москва
$c Центральный научно-исследовательский институт технико-экономических исследований и научной инфрормации
$d 1967
|
| 215 |
# |
# |
$a 13, [1] с.
$c схемы
$d 22 см
|
| 225 |
1 |
# |
$a Обзоры научно-технической литературы по электронной технике
$i Серия: Полупроводниковые приборы и микроэлектроника
$f Министерство электронной промышленности СССР
$v № 9
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 13―14 (28 назв.)
|
| 461 |
# |
1 |
$1 001BY-NLB-br456183
$1 2001
$v № 9
|
| 702 |
# |
1 |
$a Тамарченко
$b Н. Г.
$g Наталия Герцевна
$4 220
|
| 702 |
# |
1 |
$a Лашевский
$b Р. А.
$g Рафаил Аронович
$4 340
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20190425
$g RCR
|
