|
|
|
|
|
00000cam2a22000003is4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001467171 |
| 005 |
20180503133404.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20180503d1985 y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a ||||000yy
|
| 200 |
1 |
# |
$a Радиационно-стимулированная диффузия примесей в полупроводниках
$f В. В. Козловский, В. Н. Ломасов
|
| 210 |
# |
# |
$a Москва
$c ЦНИИ "Электроника"
$d 1985
|
| 215 |
# |
# |
$a 56 с.
$c ил.
$d 21 см
|
| 225 |
1 |
# |
$a Обзоры по электронной технике
$h Серия 7
$i Технология, организация производства и оборудование
$f Министерство электронной промышленности СССР
$v 1985, вып. 9
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 45―56 (146 назв.)
|
| 345 |
# |
# |
$a 1910 экз.
|
| 461 |
# |
1 |
$1 001BY-NLB-br119311
$1 2001
$v 1985, вып. 9
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-223158
$a Козловский
$b В. В.
$g Виталий Владимирович
$c доктор экономических наук
$f род. 1955
|
| 701 |
# |
1 |
$a Ломасов
$b В. Н.
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20180503
$g psbo
|
