Особенности технологии формирования и электрофизические свойства изолирующих слоев в микросхемах памяти с поликремниевым затвором: (по данным отечественной и зарубежной печати за 1970―1983 гг.) / [Г. В. Перов, М. А. Ульев]

Сохранено в:
Шифр документа: 191267-4,
Вид документа: Периодические издания
Автор: Перов, Г. В.
Опубликовано: Москва : ЦНИИ "Электроника" , 1984
Физические характеристики: 67 с. : ил. ; 21 см
Язык: Русский
Серия: Обзоры по электронной технике 1984, вып. 4
Загрузка