|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001413770 |
| 005 |
20171212151912.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20170915d2017 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Влияние интерфейсных напряжений на свойства наноразмерных мультислойных структур на основе сложных оксидов и полупроводников (и их использование) при создании устройств микро- и наноэлектроники
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
$f Буряков Арсений Михайлович
$g [Московский технологический университет (МИРЭА)]
|
| 210 |
# |
# |
$a Москва
$d 2017
|
| 215 |
# |
# |
$a 25 с.
$c ил., табл.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 23—25
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar18370
$a МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar45117
$a НАНОЭЛЕКТРОНИКА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar8902405
$a ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2665900
$a НАНОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24588
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 05.27.01
$2 oksvnk
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.48
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.13
$v 6
$2 rugasnti
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar12905431
$a Буряков
$b А. М.
$g Арсений Михайлович
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20170915
$g psbo
|
