Механизмы пробоя транзисторов на арсениде галлия: (по данным отечественной и зарубежной печати за 1980―1984 гг.) / А. М. Нечаев
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Нечаев, А. М. |
| Опубликовано: | Москва : ЦНИИ "Электроника" , 1985 |
| Физические характеристики: |
42 с. : ил. ; 21 см
|
| Язык: | Русский |
| Серия: |
Обзоры по электронной технике
1985, вып. 5 |
1985, №5: Механизмы пробоя транзисторов на арсениде галлия / Нечаев А. М.
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||