|
|
|
|
|
00000cam2a22000003is4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001375589 |
| 005 |
20170412093209.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20170412d1985 y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a ||||000yy
|
| 200 |
1 |
# |
$a Механизмы пробоя транзисторов на арсениде галлия
$e (по данным отечественной и зарубежной печати за 1980―1984 гг.)
$f А. М. Нечаев
$g [научный редактор В. Ф. Синкевич]
|
| 210 |
# |
# |
$a Москва
$c ЦНИИ "Электроника"
$d 1985
|
| 215 |
# |
# |
$a 42 с.
$c ил.
$d 21 см
|
| 225 |
1 |
# |
$a Обзоры по электронной технике
$h Серия 2
$i Полупроводниковые приборы
$f Министерство электронной промышленности СССР
$v 1985, вып. 5
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 39―42 (58 назв.)
|
| 345 |
# |
# |
$9 1960 экз.
|
| 461 |
# |
1 |
$1 001BY-NLB-br78453
$1 2001
$v 1985, вып. 5
|
| 700 |
# |
1 |
$a Нечаев
$b А. М.
$g Андрей Мартэнович
|
| 702 |
# |
1 |
$a Синкевич
$b В. Ф.
$4 340
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20170412
$g psbo
|
