Двумерное нелокальное моделирование полевых транзисторов с затвором Шоттки на арсениде галлия: (по данным отечественной и зарубежной печати за 1979―1987 гг.) / Г. З. Гарбер

Сохранено в:
Шифр документа: 205801-3,
Вид документа: Периодические издания
Автор: Гарбер, Г. З.
Опубликовано: Москва : ЦНИИ "Электроника" , 1988
Физические характеристики: 36 с. : ил. ; 21 см
Язык: Русский
Серия: Обзоры по электронной технике 1988, вып. 3
Загрузка