Двумерное нелокальное моделирование полевых транзисторов с затвором Шоттки на арсениде галлия: (по данным отечественной и зарубежной печати за 1979―1987 гг.) / Г. З. Гарбер
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Гарбер, Г. З. |
Опубликовано: | Москва : ЦНИИ "Электроника" , 1988 |
Физические характеристики: |
36 с. : ил. ; 21 см
|
Язык: | Русский |
Серия: |
Обзоры по электронной технике
1988, вып. 3 |
Загрузка