|
|
|
|
|
00000cam2a22000003is4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001375579 |
| 005 |
20170412091048.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20170412d1988 y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a ||||000yy
|
| 200 |
1 |
# |
$a Двумерное нелокальное моделирование полевых транзисторов с затвором Шоттки на арсениде галлия
$e (по данным отечественной и зарубежной печати за 1979―1987 гг.)
$f Г. З. Гарбер
$g [научный редактор А. Л. Захаров]
|
| 210 |
# |
# |
$a Москва
$c ЦНИИ "Электроника"
$d 1988
|
| 215 |
# |
# |
$a 36 с.
$c ил.
$d 21 см
|
| 225 |
1 |
# |
$a Обзоры по электронной технике
$h Серия 2
$i Полупроводниковые приборы
$f Министерство электронной промышленности СССР
$v 1988, вып. 3
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 33―36 (50 назв.)
|
| 345 |
# |
# |
$9 2060 экз.
|
| 461 |
# |
1 |
$1 001BY-NLB-br78453
$1 2001
$v 1988, вып. 3
|
| 700 |
# |
1 |
$a Гарбер
$b Г. З.
$g Геннадий Зеликович
|
| 702 |
# |
1 |
$a Захаров
$b А. Л.
$4 340
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20170412
$g psbo
|
