Механизмы отказов и надежность транзисторов на арсениде галлия: (реферативно-аналитический обзор) / [А. М. Нечаев и др.]
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Нечаев, А. М. |
| Опубликовано: | Москва : ЦНИИ "Электроника" , 1981 |
| Физические характеристики: |
42 с. : ил. ; 21 см
|
| Язык: | Русский |
| Серия: |
Обзоры по электронной технике
1981, вып. 2 |
Загрузка