|
|
|
|
|
00000cam2a22000003is4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001373692 |
| 005 |
20170404105811.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20170404d1984 y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a ||||000yy
|
| 200 |
1 |
# |
$a Мощные переключающие МДП ― транзисторы и их применение. Ч. 3
$i Физические процессы, определюящие предельные режимы работы мощных МДП ― транзисторов
$f В. В. Бачурин, В. С. Ежов, В. Ф. Синкевич
|
| 210 |
# |
# |
$a Москва
$c ЦНИИ "Электроника"
$d 1984
|
| 215 |
# |
# |
$a 68 с.
$c ил.
$d 21 см
|
| 225 |
1 |
# |
$a Обзоры по электронной технике
$h Серия 2
$i Полупроводниковые приборы
$f Министерство электронной промышленности СССР
$v 1984, вып. 4
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 65―68 (49 назв.)
|
| 345 |
# |
# |
$9 1920 экз.
|
| 461 |
# |
1 |
$1 001BY-NLB-br78453
$1 2001
$v 1984, вып. 4
|
| 700 |
# |
1 |
$a Бачурин
$b В. В.
$g Виктор Васильевич
|
| 701 |
# |
1 |
$a Ежов
$b В. С.
$g Владимир Самуилович
|
| 701 |
# |
1 |
$a Синкевич
$b В. Ф.
$g Владимир Федорович
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20170404
$g psbo
|
