|
|
|
|
|
00000cam2a22000003is4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001373634 |
| 005 |
20170404100105.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20170404d1988 y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a ||||000yy
|
| 200 |
1 |
# |
$a Плазмохимическое осаждение тонких слоев в реакторах пониженного давления. Ч. 2
$i Процессы осаждения и свойства тонких слоев
$e (по данным отечественной и зарубежной печати за 1977―1987 годы)
$f С. Н. Шепелев, В. Ю. Васильев, В. П. Попов
|
| 210 |
# |
# |
$a Москва
$c ЦНИИ "Электроника"
$d 1988
|
| 215 |
# |
# |
$a 62 с.
$c ил.
$d 21 см
|
| 225 |
1 |
# |
$a Обзоры по электронной технике
$h Серия 2
$i Полупроводниковые приборы
$f Министерство электронной промышленности СССР
$v 1988, вып. 2
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 57―62 (63 назв.)
|
| 345 |
# |
# |
$9 2100 экз.
|
| 461 |
# |
1 |
$1 001BY-NLB-br78453
$1 2001
$v 1988, вып. 2
|
| 700 |
# |
1 |
$a Шепелев
$b С. Н.
$g Сергей Николаевич
|
| 701 |
# |
1 |
$a Васильев
$b В. Ю.
$g Владислав Юрьевич
|
| 701 |
# |
1 |
$a Попов
$b В. П.
$g Владимир Петрович
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20170404
$g psbo
|
