Плазмохимическое осаждение тонких слоев в реакторах пониженного давления. Ч. 1 / С. Н. Шепелев, В. Ю. Васильев, В. П. Попов
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Шепелев, С. Н. |
Опубликовано: | Москва : ЦНИИ "Электроника" , 1986 |
Физические характеристики: |
53 с. : ил. ; 21 см
|
Язык: | Русский |
Серия: |
Обзоры по электронной технике
1986, вып. 7 |
Загрузка