|
|
|
|
|
00000cam2a22000003is4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001373611 |
| 005 |
20170404095023.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20170404d1979 y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a ||||000yy
|
| 200 |
1 |
# |
$a Современный уровень и перспективы развития разработак полевых транзисторов на арсениде галлия. Ч. 2
$i Мощные полевые транзисторы на арсениде галлия
$f [В. Н. Данилин]
|
| 210 |
# |
# |
$a Москва
$c ЦНИИ "Электроника"
$d 1979
|
| 215 |
# |
# |
$a 37 с.
$c ил.
$d 21 см
|
| 225 |
1 |
# |
$a Обзоры по электронной технике
$h Серия 2
$i Полупроводниковые приборы
$f Министерство электронной промышленности СССР
$v 1979, вып. 8
|
| 300 |
# |
# |
$a Автор указан на обложке
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 33―37 (58 назв.)
|
| 345 |
# |
# |
$9 1750 экз.
|
| 461 |
# |
1 |
$1 001BY-NLB-br78453
$1 2001
$v 1979, вып. 8
|
| 700 |
# |
1 |
$a Данилин
$b В. Н.
$g Валентин Николаевич
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20170404
$g psbo
|
