![](/themes/root/images/default-cover.png)
Влияние полуизолирующей подложки на параметры арсенидгаллиевых полевых транзисторов с барьером Шотки: (по данным отечественной и зарубежной печати за 1980―1985 гг.) / С. А. Костлев, Е. Ф. Прохоров, А. Т. Уколов
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Костылев, С. А. |
Опубликовано: | Москва : ЦНИИ "Электроника" , 1986 |
Физические характеристики: |
40 с. : ил. ; 21 см
|
Язык: | Русский |
Серия: |
Обзоры по электронной технике
1986, вып. 7 |
Загрузка