|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001012475 |
| 005 |
20140215141850.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20131212d2013 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Фотодиоды средневолнового ИК диапазона на основе узкозонных полупроводников InAs(Sb), облучаемые со стороны слоя р-типа проводимости
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e специальность 01.04.10 Физика полупроводников
$f Рыбальченко Андрей Юрьевич
$g [Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН]
|
| 210 |
# |
# |
$a Санкт-Петербург
$d 2013
|
| 215 |
# |
# |
$a 25 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 22—25
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2749267
$a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar66274
$a АРСЕНИД ИНДИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar66272
$a АНТИМОНИД ИНДИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1658634
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar36384
$a ФОТОДИОДЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar6720286
$a ИНФРАКРАСНЫЙ ДИАПАЗОН
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.22
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.33.33
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.29
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar6822944
$a Рыбальченко
$b А. Ю.
$g Андрей Юрьевич
$c кандидат физико-математических наук
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20131212
$g psbo
|
