Малошумящий полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al, In)GaAs/GaAs: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Козловский Эдуард Юрьевич

Сохранено в:
Шифр документа: 2//162819(039),
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Козловский, Э. Ю.
Опубликовано: Санкт-Петербург , 2013
Физические характеристики: 18 с. : ил.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a2200000 ia4500
001 BY-NLB-br0001005090
005 20131220152723.0
100 # # $a 20131121d2013 k y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
105 # # $a a m 000yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Малошумящий полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al, In)GaAs/GaAs  $e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук  $e специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах  $f Козловский Эдуард Юрьевич  $g [Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого] 
210 # # $a Санкт-Петербург  $d 2013 
215 # # $a 18 с.  $c ил. 
320 # # $a Библиография: с. 16—18 (21 назв.) 
606 0 # $3 BY-NLB-ar24309  $a ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar7368  $a ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar22676  $a ПАРАМЕТРЫ (физ., техн.)  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar33870  $a ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА  $2 DVNLB 
686 # # $a 47.33  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 47.13.11  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 05.27.01  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-ar6708908  $a Козловский  $b Э. Ю.  $g Эдуард Юрьевич 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20131121  $g psbo