|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
001 |
BY-NLB-br0001005090 |
005 |
20131220152723.0 |
100 |
# |
# |
$a 20131121d2013 k y0rusy50 ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
102 |
# |
# |
$a RU
|
105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
200 |
1 |
# |
$a Малошумящий полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al, In)GaAs/GaAs
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
$e специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
$f Козловский Эдуард Юрьевич
$g [Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого]
|
210 |
# |
# |
$a Санкт-Петербург
$d 2013
|
215 |
# |
# |
$a 18 с.
$c ил.
|
320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 16—18 (21 назв.)
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24309
$a ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar7368
$a ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar22676
$a ПАРАМЕТРЫ (физ., техн.)
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar33870
$a ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА
$2 DVNLB
|
686 |
# |
# |
$a 47.33
$2 rugasnti
$v 6
|
686 |
# |
# |
$a 47.13.11
$2 rugasnti
$v 6
|
686 |
# |
# |
$a 05.27.01
$2 oksvnk
|
700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar6708908
$a Козловский
$b Э. Ю.
$g Эдуард Юрьевич
|
801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20131121
$g psbo
|