|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0000996265 |
| 005 |
20131203103821.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20131028d2013 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Разработка и исследование технологических основ формирования наноструктур на основе арсенала галлия методом молекулярно-лучевой эпитаксии для элементов микро-и наноэлектроники
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
$e специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
$f Солодовник Максим Сергеевич
$g [Южный федеральный университет]
|
| 210 |
# |
# |
$a Таганрог
$d 2013
|
| 215 |
# |
# |
$a 19 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 17—19 (19 назв.)
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2665900
$a НАНОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar6882
$a АРСЕНИД ГАЛЛИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar33902
$a ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2282245
$a МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar18370
$a МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar45117
$a НАНОЭЛЕКТРОНИКА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24588
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 05.27.01
$2 oksvnk
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.22
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.29
$2 rugasnti
$v 6
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar6664295
$a Солодовник
$b М. С.
$g Максим Сергеевич
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20131028
$g psbo
|
