Оптимизация процесса роста монокристаллов карбида кремния на затравках различных кристаллографических ориентаций: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники / Фадеев Алексей Юрьевич

Сохранено в:
Шифр документа: 2//159194(039),
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Фадеев, А. Ю.
Опубликовано: Санкт-Петербург , 2013
Физические характеристики: 18 с. : ил.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a2200000 ia4500
001 BY-NLB-br0000986051
005 20131029154927.0
100 # # $a 20130926d2013 k y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
105 # # $a a m 000yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Оптимизация процесса роста монокристаллов карбида кремния на затравках различных кристаллографических ориентаций  $e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук  $e специальность 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники  $f Фадеев Алексей Юрьевич  $g [Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина)] 
210 # # $a Санкт-Петербург  $d 2013 
215 # # $a 18 с.  $c ил. 
320 # # $a Библиография: с. 17—18 
606 0 # $3 BY-NLB-ar17342  $a ЭЛЕКТРОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar18851  $a МОНОКРИСТАЛЛЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2187791  $a КАРБИД КРЕМНИЯ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar42268  $a ВЫРАЩИВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar28578  $a РОСТ КРИСТАЛЛОВ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar87382  $a ДЕФЕКТЫ В КРИСТАЛЛАХ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar21799  $a ОПТИМИЗАЦИЯ  $2 DVNLB 
686 # # $a 47.13.11  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 29.19.03  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 29.19.04  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 29.19.11  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 05.27.06  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-NLB-ar6653905  $a Фадеев  $b А. Ю.  $g Алексей Юрьевич  $c электроника 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20130926  $g psbo