Элементы памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления в интегральном исполнении на кремнии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: 05.16.08 ; 05.27.01 / Костров Александр Иванович

Сохранено в:
Шифр документа: 2Н//119057(039), 2Н//119201(039),
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Костров, А. И.
Опубликовано: Минск , 2011
Физические характеристики: 21 с. : ил.
Язык: Русский
Предмет:
ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМАЯ ПАМЯТЬ
ОПЕРАТИВНАЯ ПАМЯТЬ
ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА
МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЕ
ТУННЕЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ
ФЕРРОМАГНИТНЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ
ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
КРЕМНИЕВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ
НАНОЭЛЕКТРОНИКА
МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ ПАМЯТЬ
ТУННЕЛЬНОЕ МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЕ
ФДП-структуры
Е-документ: E-документ
00000cam0a2200000 ia4500
001 BY-NLB-br0000709461
005 20210309091447.0
100 # # $a 20111026d2011 k y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus  $d bel  $d rus  $d eng 
102 # # $a BY 
105 # # $a a m 000yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Элементы памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления в интегральном исполнении на кремнии  $e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук  $e 05.16.08 ; 05.27.01  $f Костров Александр Иванович  $g Учреждение образования "Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники" 
210 # # $a Минск  $d 2011 
215 # # $a 21 с.  $c ил. 
300 # # $a Резюме на белорусском, русском и английском языках 
311 # # $a В фонде имеется диссертация 
320 # # $a Библиография: с. 16—18 (23 назв.) 
488 # 0 $1 001BY-NLB-br0000783823 
606 0 # $3 BY-NLB-ar39524  $a ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМАЯ ПАМЯТЬ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar21709  $a ОПЕРАТИВНАЯ ПАМЯТЬ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar10767  $a ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar63021  $a МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЕ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar82122  $a ТУННЕЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar4555639  $a ФЕРРОМАГНИТНЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar7368  $a ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2246902  $a КРЕМНИЕВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar45117  $a НАНОЭЛЕКТРОНИКА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar11787794  $a МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ ПАМЯТЬ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar13956693  $a ТУННЕЛЬНОЕ МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЕ  $2 DVNLB 
610 0 # $a ФДП-структуры 
615 # # $a Белорусский национальный документ 
675 # # $a 621.377.624.6.037.73(043.3)  $v 4  $z rus 
675 # # $a 004.33.083.076.4(043.3)  $v 4  $z rus 
686 # # $a 05.16.08  $2 nsnrrb 
686 # # $a 05.27.01  $2 nsnrrb 
686 # # $a 50.11.29  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 50.11.15  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 47.33.31  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 47.13.07  $v 6  $2 rugasnti 
700 # 1 $3 BY-SEK-ar4533303  $a Костров  $b А. И.  $g Александр Иванович  $c кандидат технических наук 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20111026  $g psbo 
830 # # $a 24.11.2011 
856 4 # $u https://elib.nlb.by:8070/viewer?markID=BY-NLB-br0000709461&fileID=9347150 

Схожие документы