|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 a4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0000450424 |
| 005 |
20100326145137.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20100205d2009 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs для мощных импульсных лазерных диодов, излучающих на длине волны 0,9 мкм
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
$e 05.27.03
$f Ладугин Максим Анатольевич
$g [ФГУП "НИИ "Полюс" им. М, Ф. Стельмаха]
|
| 210 |
# |
# |
$a Москва
$d 2009
|
| 215 |
# |
# |
$a 22 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 20—22
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar13196
$a КВАНТОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar62091
$a ЛАЗЕРНЫЕ ОПТИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar58871
$a СВЕТОДИОДЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar55992
$a ИМПУЛЬСНЫЕ ДИОДЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar11562
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar7368
$a ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3170564
$a МНОГОСЛОЙНЫЕ СТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar6882
$a АРСЕНИД ГАЛЛИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar39622
$a ЭПИТАКСИЯ (физ.)
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2351487
$a НАПРАВЛЕННЫЙ СИНТЕЗ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 05.27.03
$2 oksvnk
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.35.31
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.29
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.47
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.13.06
$2 rugasnti
$v 6
|
| 700 |
# |
1 |
$a Ладугин
$b М. А.
$g Максим Анатольевич
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20100205
$g psbo
|
