|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
001 |
BY-NLB-br0000448124 |
005 |
20100408091304.0 |
100 |
# |
# |
$a 20100129d2009 k y0rusy50 ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
102 |
# |
# |
$a RU
|
105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
200 |
1 |
# |
$a Разработка и применение физико-топологической модели мощного полевого транзистора с барьером шоттки и моделей микрополосковых линий для проектирования монолитных и квазимонолитных СВЧ схем на арсениде галлия
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
$e 05.27.01
$f Раков Юрий Николаевич
$g Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Новосибирский государственный технический университет"
|
210 |
# |
# |
$a Новосибирск
$d 2009
|
215 |
# |
# |
$a 20 с.
$c ил.
|
320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 19—20 (20 назв.)
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24604
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar6882
$a АРСЕНИД ГАЛЛИЯ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24309
$a ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar38189
$a ШОТТКИ БАРЬЕРЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2125682
$a СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar18278
$a МИКРОПОЛОСКОВЫЕ ЛИНИИ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar55687
$a ТОПОЛОГИЧЕСКОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2519494
$a ПРОЕКТИРОВАНИЕ С ПРИМЕНЕНИЕМ МОДЕЛЕЙ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar35945
$a ФИЗИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3282494
$a ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ
$2 DVNLB
|
610 |
0 |
# |
$a Шоттки транзисторы
|
610 |
0 |
# |
$a Шоткі транзістары
|
686 |
# |
# |
$a 05.27.01
$2 oksvnk
|
686 |
# |
# |
$a 47.33.29
$2 rugasnti
$v 6
|
686 |
# |
# |
$a 47.33.31
$2 rugasnti
$v 6
|
686 |
# |
# |
$a 29.35.47
$2 rugasnti
$v 6
|
686 |
# |
# |
$a 47.14.07
$2 rugasnti
$v 6
|
686 |
# |
# |
$a 47.01.77
$2 rugasnti
$v 6
|
700 |
# |
1 |
$a Раков
$b Ю. Н.
$g Юрий Николаевич
|
801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20100129
$g psbo
|