|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0000279869 |
| 005 |
20090210165110.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20090128d2008 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Исследование зарождения и роста нанокластеров при молекулярно-пучковой эпитаксии в системах SiC/Si, Ge/Si, InAs/GaAs методом компьютерного моделирования
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e 01.04.07
$f Сафонов Кирилл Леонидович
$g [Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный политехнический университет"]
|
| 210 |
# |
# |
$a Санкт-Петербург
$d 2008
|
| 215 |
# |
# |
$a 17 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 15—17
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24594
$a ПОЛУПРОВОДНИКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar78733
$a НАНОКЛАСТЕРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar7368
$a ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2282245
$a МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2685016
$a КРЕМНИЕВЫЕ ПОДЛОЖКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar83953
$a КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar14264
$a КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.03
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.22
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.03.77
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.07
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$a Сафонов
$b К. Л.
$g Кирилл Леонидович
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20090128
$g psbo
|
