Wyszukiwanie :: Национальная Библиотека РБ

Жидкофазная эпитаксия и физико-химические свойства непрерывных твердых растворов Si1-xGex1, Si1-xSnx, (Si2)1-x(GaAs)x1, (Ge2)1-x(GaAs)x1, (Si2)1-x(GaP)x, (Si2)1-x(ZnS)x: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук: 01.04.10 / Сапаев Байрамдурды. - Ташкент, 2009. - 39 с.

“...47.09.29 rugasnti 6...”

Разработка физических основ молекулярно-пучковой эпитаксии для создания полупроводниковых наноструктур и ВТСП соединений: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук: 01.04.10 / Мамутин Владимир Васильевич. - Санкт-Петербург, 2011. - 34 с.

“...47.09.29 rugasnti 6...”

Влияние рельефа подложек лейкосапфира на процессы роста эпитаксиальных пленок теллурида кадмия и частиц золота: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.18 Кристаллография, физика кристаллов / Муслимов Арсен Эмирбегович. - Москва, 2012. - 24 с.

“...47.09.29 rugasnti 6...”

Гетероэпитаксия упругонапряженных, упругокомпенсированных и метафорфных слоев твердых растворов A³B5 и A³B5-N на поверхности GaAs, GaP и Si: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.01 Приборы и методы эспериментальной физики / Соболев Максим Сергеевич. - Санкт-Петербург, 2015. - 19 с.

“...47.09.29 rugasnti 6...”

Исследование и разработка технологии изготовления гетероструктур на основе антимонида галлия методом ГФЭМОС: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Левин Роман Викторович. - Санкт-Петербург, 2016. - 19 с.

“...47.09.29 6 rugasnti...”

Светоизлучающие III-N гетероструктуры с трехмерной локализацией носителей заряда: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук: специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Цацульников Андрей Федорович. - Санкт-Петербург, 2019. - 31 с.

“...47.09.29 6 rugasnti...”

Физико-технологические основы термомиграционного легирования микрообластей в объеме кремния акцепторными примесями: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 2.2.3 Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники / Заиченко Александр Николаевич. - Таганрог, 2023. - 23 с., включая обложку

“...47.09.29 6 rugasnti...”

Исследование механизмов токопрохождения в многопереходных фотоэлектрических преобразователях: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 1.3.11 Физика полупроводников / Контрош Евгений Владимирович. - Санкт-Петербург, 2024. - 25 с.

“...47.09.29 6 rugasnti...”

Разработка контактных систем для многосекционных термоэлементов с рабочими температурами до 1200 К: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 2.2.3 Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники / Козлов Александр Олегович. - Москва, 2024. - 23 с., включая обложку

“...47.09.29 6 rugasnti...”

Особенности формирования пленок поликристаллического кремния и их применение в интегральных схемах: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: 05.27.01 / Азерб. нац. аэрокосм. агентство. - Баку, 1999. - 19 с.

“...47.09.29 rugasnti...”

Технология спецматериалов электронной техники: Учеб.пособие для техникумов по спец.2001 "Технология материалов электрон.техники". - М. : Металлургия, 1993. - 366 с.

“...47.09.29 rugasnti...”

Математическое моделирование технологических процессов на примере автоэпитаксии кремния: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 05.13.18 / Матюшкин Игорь Валерьевич. - Долгопрудный, 2000. - 16 с.

“...47.09.29 6 rugasnti...”

Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Абрамов Алексей Станиславович. - Санкт-Петербург, 2001. - 20 с.

“...47.09.29 6 rugasnti...”

Использование капилляров для формирования контакта металл-полупроводник: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: 05.27.01 / Поярков Вячеслав Николаевич. - Воронеж, 2002. - 13 с.

“...47.09.29 6 rugasnti...”

Вопросы радиоэлектроники. Серия 5, Ферриты и ферритовая техника: научно-технический сборник / Министерство электронной промышленности СССР. - [Москва : б. и.], 1965

“...47.09.29 5 rugasnti...”

Молекулярно-лучевая эпитаксия низкоразмерных систем на основе гетероструктурных и δ-легированных квантовых ям на подложках СaAs различной ориентации: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук: 05.27.01 / Галиев Галиб Бариевич. - Москва, 2003. - 35 с.

“...47.09.29 rugasnti...”

Сборник информационных материалов / Совет уполномоченных стран-членов СЭВ, Координационный центр по проблеме "Создание новых полупроводниковых материалов и металлов высокой чистоты". - Москва : [б. и.], 1974―1982

“...47.09.29 rugasnti 6...”

Взаимная диффузия в GexSi1-x/Si гетероструктурах, выращенных методом МЛЭ: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: 01.04.10 / Кеслер Валерий Геннадьевич. - Новосибирск, 2005. - 22 с.

“...47.09.29 rugasnti...”

Моделирование роста атомно-тонких пленок на подложках со сложной морфологией: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: 01.04.10 / Зверев Алексей Викторович. - Новосибирск, 2007. - 18 с.

“...47.09.29 5 rugasnti...”

Молекулярно-пучковая эпитаксия нитридов металлов для светодиодов ультрафиолетового диапазона: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: 01.04.04 / Борисов Борис Александрович. - Санкт-Петербург, 2008. - 20 с.

“...47.09.29 rugasnti 5...”

Podobne hasła